ボチボチLife・・・: 【iOS8脱獄】iPhone6 Plus 128Gクラッシュ問題。搭載されているNANDフラッシュメモリの種類を調べる方法。

2014年12月18日木曜日

【iOS8脱獄】iPhone6 Plus 128Gクラッシュ問題。搭載されているNANDフラッシュメモリの種類を調べる方法。



Piroです。

ちょっと前からiPhone6 Plus 128GBモデルに大量のアプリ(700以上?)をインストールすると、頻繁にアプリクラッシュや、再起動を繰り返すという話題が挙がっています。

原因はいろいろ推察されているものの、どうやら搭載されているNANDフラッシュメモリのICコントローラに起因する問題ぽいとのこと。

NANDフラッシュメモリにはSLC(Single Level Cell)、MLC(Multi Level Cell)、TLC(Triple Level Cell)の3種類があり、SLCは面積効率は悪いものの、信頼性、耐久性があり、価格も高価、TLCは逆に面積効率はいいものの、制御が難しく信頼性、耐久性が著しくおとるとのこと。(MLCはその中間)

参考にそれぞれの書き換え可能といわれている限度回数(参考値)を示すと・・

SLC ・・ 100,000回
MLC ・・ 10,000回
TLC ・・ 1,000回(以下)

だとか。

で、今回問題になっているiPhone6 Plus 128GBにはもれなくこの「TLC」が採用されておりこれが問題の元凶なんじゃないかと言われているわけです。
更には一部のiPhone6/Plus 64GBモデルにも「TLC」が採用されているとのこと。

つまり「TLC」搭載機は「ハズレ」みたいな。


そうなると「じゃ、俺のiPhoneってどーなのよ?」が気になるのが人情ってもの。

そこで、今回はiPhoneに搭載されているNANDフラッシュの仕様を調べる方法を紹介します。

※表題にもありますように脱獄してあることが前提となります。

・確認に使用した環境

 iPhone6 JPN SIMフリー 64GB
 iOS 8.1 「Pangu」にて脱獄済み

・使用する脱獄tweak

・MobileTerminal(iOS7)
Tweak名:MobileTerminal(iOS7)
リポジトリ:【WeAmDev】http;//weamdev.org/repo/
価格:無料

・IOKit Tools
Tweak名:IOKit Tools
リポジトリ:【Cydia/Teresphoreo】※標準リポです
価格:無料
※ユーザー設定を「上級」以上に設定しないと出てきません。


・確認方法
1.MobiletTerminal(iOS7)を起動し「su root」コマンド入力。続いて設定したrootパスワード(デフォルトは"alpine")を入力してrootに入る。

2.ioreg -lw0|grep "Device Characteristics"と入力すると下図のような情報が表示されます。


デバイスの情報が表示される

ここで注目したいのが、丸で囲んだ部分
"vender-name"NANDメモリの製造メーカー。Piroのは"SanDisk"製とわかります。
そして
"default-bits-per-cell"この値がNANDメモリの種類を表し。1がSLC、2がMLC、3がTLCということで・・・・・・がーーん。PiroのiPhone6は残念ながらハズレといわれているTLCであることがわかりました。




Appleとしては問題を認識しながらも、今のところリコールなどの対策は打ち出していませんし、これがわかったからといってどうこうなるもんではありませんが、知っておいて損はないかと思います。(知らぬが仏って言葉もありますが)

ちなみにPiroのiPhone6では、冒頭に書いたような不具合も無く快適に使用できています。

※でも書き換え可能回数1,000回未満ってなんか不安・・・
※ただ、SamsungのTLC採用SSD 160GBの耐久試験で数十GB/dayの書き込みを繰り返して3年程度の耐用年数という結果が出てるようです。普通にiPhone使ってたら一日数十GBも書き込みしないでしょうし、端末の交換サイクルから考えると、あんまり気にすること無いかもしれませんね。


以上。



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